저항계

T3MIL50X는 다양한 재료를 측정하는 애플리케이션 용도로 Dry 회로 및 다양한 구동 모드(DC+, DC-, Pulse, PWM)를 제공합니다. 펄스 전류 출력 모드는 측정에 대한 열 전자파의 영향을 줄이기 위해 서로 다른 재료의 도체를 상호 작용시키는 데 적합합니다. 낮은 저항 측정을 수행할 때 동작 온도가 다른 서로 다른 도체 사이에서 발생하는 전위차에 의해 열 EMF가 발생합니다. DC+ 및 DC- 출력 모드는 유도 성분 측정에 가장 적합합니다. PWM 출력 모드는 온도에 민감한 재료를 측정하는 데 적합하여 측정 전류가 장시간 인가되어 발생하는 저항 변동을 방지합니다. 드라이 회로 테스트는 접촉 표면의 오염물 및 산화물을 감지하는 데 사용됩니다. 일반적으로 드라이 회로 테스트는 커넥터 접촉 표면에 오염 또는 금속 산화물을 생성하기 위한 환경 스트레스 테스트와 함께 수행됩니다. 테스트 중 접점을 통해 과도한 전류가 흐르면 접점 영역이 미세하게 변화할 수 있습니다. 전류는 열을 발생시키며, 접점과 주변 영역을 약하게 하거나 녹일 수 있습니다. 접촉 면적이 넓어 저항이 감소합니다. 오염물을 "닦아내는" 것을 방지하기 위해 테스트에 건식 회로 방법을 사용합니다. 드라이 회로는 전압과 전류가 접점의 물리적 및 전기적 상태에 변화를 줄 수 없는 수준으로 제한되는 회로입니다. 일반적으로 개방 회로 전압은 20 mV 이하이고 단락 전류는 100 mA 이하입니다. 드라이 회로 측정은 DC+, DC- 및 펄스 모드에서도 수행할 수 있습니다

– DUALGROUND 안전을 갖춘 100A 휴대성이 뛰어난 마이크로 저항계

• 저저항 측정기 ∎ DLRO Series – DLRO600

• 저저항 측정기 ∎ DLRO Series – DLRO200

– 10 A Micro-Ohmmeter with Dual Power Diagnostics

– 10 A Digital Low Resistance Ohmmeter

– Digital Low Resistance Ohmmeter

• 저저항 측정기 ∎ DLRO Series – DLRO2 Series ・ DLRO2 ・ DLRO2X

GOM-804/805는 3.5인치 TFT 디스플레이, 최대 50,000카운트 측정 디스플레이, 초당 60회 판독의 빠른 샘플링 속도, 최적의 0.05% 측정 정밀도, 4선식 측정 방식, 온도 측정 및 온도 보상 측정 기능을 갖추고 있습니다. 낮은 저항 측정 응용 프로그램의 요구 사항을 충족합니다. GOM-805는 또한 접촉 저항 측정 애플리케이션을 위한 다양한 구동 모드와 건식 회로를 포함합니다. 20세트의 패널 설정 메모리와 RS-232C, USB, 핸들러/스캔/EXT IO 또는 GPIB(옵션)와 같은 많은 외부 제어 인터페이스를 포함한 더 많은 기능은 실용적인 애플리케이션에서 GOM-804/805 밀리옴 미터의 편의성을 크게 높입니다.

모델명 2761910 Specifications Dimensions 227（W）×183（H）×93（D）mm, excluding protrusions 8.94 × 7.20 × 3.66 in. Weight Approx. 2.6kg 5.7 lbs Measuring Range 0.1mΩ to 110Ω Measuring Arm 1.00 to 11.00Ω at x1 Multiplier 0.005mΩ at x 0.0001 0.05mΩ at x 0.0

Specifications Dimensions 226（W）×182（H）×92（D）mm, excluding protrusions 8.90 × 7.17 × 3.60 in. Weight Approx. 2.0kg 4.4 lbs Measuring Range 1.000Ω to 10.00MΩ Measuring Arm x 1mΩ, x 10Ω + 10Ω x 10 + 100Ω x 10 + 1000Ω x10 (min. one step

Excellent reproducibility is obtainable because dial switches with low contact resistance are used. For example, changes in contact resistance is within ± 1.1mΩ at 0.1Ω setting.